三星携手IBM 拟3年内量产新一代STT MRAM

2016年7月28日 | 机械电子研究网  http://jxdz.chinairn.com |打印】 【关闭

中研普华报道

三星电子(Samsung Electronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(Spin Transfer Torque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示,预计在3年内展开MRAM量产,也引起了业界高度的注目。

韩媒亚洲经济报导指出,STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比,写入速度快上10万倍,而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器,不使用时也完全不需要电力。

MRAM的另外一项特征是寿命时间无限。NAND Flash反覆读写后,寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展,已经延长了NAND Flash的使用寿命,但仍未出现颠覆性的改善技术。
MRAM自2007年亮相,2011年三星电子买下拥有STT-MRAM技术的开发公司Grandis。而SK海力士(SK Hynix)则是与东芝(Toshiba)合作,共同研发MRAM技术。

然而,这样比NAND Flash读写速度还快,又没有寿命问题的MRAM却有一个致命的缺点,那就是50纳米以下的微细制程相当困难,费用又极为庞大。过去这段期间,半导体大厂如英特尔(Intel)、美光(Micron)等虽然积极进行MRAM的研发,但到目前为止,都未能研发出比NAND Flash更高整合度、更低生产价格的MRAM,以致迟迟不能商品化。

此次三星与IBM共同研发成功研发11纳米MRAM之后,情况将有望大幅转变。用在物联网(IoT)装置感测器、移动装置等领域的机会将会无穷无尽。长期来看,更有望可以取代NAND Flash市场。
另一方面,三星与IBM除了在次世代存储器事业上有合作以外,也传出正在研拟于人工智能(AI)、半导体事业的合作方案。

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